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1、主要特點

• 數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計、MEMS工藝制造

• 壓力與溫度擴(kuò)散硅元件單片集成

• 優(yōu)良表面態(tài)和時漂特性

• 多開/閉合惠斯登電橋連接形式

• 智能傳感器的核心芯片

• 適于表壓、絕壓、差壓與溫度組合測量

• 覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍

2、主要性能技術(shù)指標(biāo)

序號	項目	規(guī)格指標(biāo)									備注
1	組合敏感類型	表壓-溫度	絕壓-溫度			差壓-靜壓-溫度				表壓-絕壓-溫度
2	硅晶圓類型	全硅單晶				SOI硅單晶
3	基準(zhǔn)壓力量程	表壓、			絕壓			差壓
		0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa			100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa			0～1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
	過載能力	≥3倍基準(zhǔn)量程（≤10MPa）；≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）					雙向≥4倍基準(zhǔn)量程				1*
	橋路電阻	3～5kΩ
4	零點輸出	≤ ±20mV									2*
5	滿量程輸出	≥20mV（20kPa、35kPa）；≥30 mV（20kPa、30kPa）；≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）									2*
6	準(zhǔn)確度	≤ ±0.15%FS （其它基準(zhǔn)量程）；≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）；  ± 0.5%FS（≤10kPa）									3*
7	工作溫度	-55～+125℃；-55～+150℃
8	零點熱漂移	≤ 6%FS/℃（≤10kPa） ≤ 4%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）									4*、5*
9	滿量程熱漂移	≤10%FS/℃（≤10kPa） ≤ 8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）									4*、5*
10	PN結(jié)硬擊穿電壓	≥25V(I=10μA檔)
11	短期穩(wěn)定性	±0.05%FS/8h
12	供電電源	恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
13	電橋形式	閉橋
14	熱敏電阻阻值	40～60kΩ									6*
15	熱敏電阻溫度系數(shù)	≥50Ω/℃									6*
	芯片表面尺度	≤3.5×2.75（mm）		≤2.3×2（mm）					≤1.55×1.55（mm）		7*

注：1^*. 100MPa量程過載為本量程上限；

       2^*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃；

3^*.非線性數(shù)據(jù)計算為最小二乘法；    

       4^*. 1mA恒流激勵，恒溫25℃；

5^*. 55℃溫區(qū)為-30～25℃或25～80℃；

6^*.可定制；   

7^*.硅片厚度c=500μm。

注：可提供定制服務(wù)，如有需求請與營銷人員聯(lián)系。