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1、主要特點(diǎn)：

• 數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計(jì)、MEMS工藝制造

• SiO₂層絕緣隔離擴(kuò)散硅敏感電橋

• 特殊功能結(jié)構(gòu)和材料

• 適應(yīng)高寬工作溫度范圍

• 適應(yīng)與硅、玻璃兼容的介質(zhì)環(huán)境

• 表壓、絕壓、差壓類型齊全

• 覆蓋低、中、高寬壓力量程范圍

 2、主要性能指標(biāo)：

序號	項(xiàng)目	規(guī)格指標(biāo)			備注
1	系列	耐高溫沖擊		貼片
2	類型	表壓、絕壓、差壓
3	基準(zhǔn)壓力量程	100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10Mpa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100Mpa、200MP	100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa		1*
4	量程過載能力	≥3倍基準(zhǔn)量程（≤10MPa）； ≥1. 5倍基準(zhǔn)量程（＞10MPa）； ≥1. 25倍基準(zhǔn)量程（≥60MPa）			2*
5	橋路電阻	3～5kΩ
6	零點(diǎn)輸出	≤ ±25mV			3*
7	滿量程輸出	≥20mV（20kPa、35kPa）；  ≥30 mV（20kPa、30kPa）；  ≥50 mV（其它基準(zhǔn)量程）			3*
8	準(zhǔn)確度	≤ ±0.2%FS （其它基準(zhǔn)量程）；   ≤ ±0.25%FS （≤60kPa、≥60MPa、100MPa）  ± 0.5%FS（≤10kPa）			3*、4*
9	靈敏度對稱性	≤ ±0.3%FS			4*
10	工作溫度范圍	下限-55℃；上限+540℃；		下限-55℃；上限+230℃；
11	熱零點(diǎn)漂移	≤ 1%FS/℃（≤10kPa）；      ≤0.8%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）			5*、6*
12	熱靈敏度漂移	≤2%FS/℃（≤10kPa）；       ≤ 1%F.S /55℃（其它基準(zhǔn)量程）			5*、6*
13	短期穩(wěn)定性	≤±0.03%FS/8h			3*
14	激勵電源	恒流0.5～1.5mA,或恒壓5V～10V
15	電橋連接形式	閉橋
16	芯片表面尺寸	≤3.5×2.7（mm）		≤1×1（mm），≤1,5 ×1.5（mm）	7*

 注：1^*. 可定制中間壓力量程；                             2^*. 100MPa量程過載為本量程上限；

         3^*. 5VDC恒壓激勵，恒溫25℃；                       4^*. 非線性數(shù)據(jù)計(jì)算為最小二乘法；                    

         5^*. 1mADC恒流激勵，恒溫25℃(可補(bǔ)償性)； 6^*. 55℃溫區(qū)為-30～25℃或25～80℃(可補(bǔ)償性)；

          7^*. 硅片厚度c=500μm。

    注：可提供定制服務(wù)，如有需求請與營銷人員聯(lián)系。